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Notiziario Marketpress di
Giovedì 22 Aprile 2004
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LA MEMORIA FLASH "SUPERAND" DA 512-MBIT OFFRE ELEVATA VELOCITÀ DI SCRITTURA E FUNZIONI PER LA GESTIONE DELLA MEMORIA INTEGRATA |
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Milano, 21 aprile 2004 - Renesas Technology Europe ha annunciato Hn29v512a, la serie di memorie flash superAnd da 512-Mbit, che rappresenta la terza fase della gamma di prodotti superAnd, successiva ai modelli da 128-Mbit e da 256-Mbit. La nuova serie offre un'elevata velocità di scrittura, approssimativamente di 4-Mbyte al secondo, e maggiore semplicità di utilizzo, grazie alle funzioni per la gestione della memoria integrata. La serie è disponibile in un package Csp dalle dimensioni ridotte (10 mm x 11,5 mm x 1,2 mm), come l'attuale modello da 256-Mbit. Ideale per essere utilizzata come memoria integrata per l'immagazzinamento di dati in prodotti consumer, come telefoni cellulari di prossima generazione, Pda, Pc portatili e fotocamere digitali. La nuova serie utilizza un processo a 0,13 µm e la tecnologia Ag-and di Renesas Technology, che offre la possibilità di avere celle multi-level ad elevata velocità, approssimativamente pari a 4 Mbyte al secondo. Sono disponibili due modelli con alimentazione a 3,3V , Hn29v512a0a che supporta un bus dati a 16-bit, e Hn29v512a1a, che supporta un bus dati a 8-bit. Inoltre, è in fase di sviluppo una versione con alimentazione a 1,8 V, per incontrare la domanda di operazioni a più bassa tensione. Le funzioni per la gestione della memoria integrata, come gestione del bad-sector, wear levelling e correzione degli errori, sono state ottimizzate per l'utilizzo interno al circuito, basato sull'esperienza acquisita dallo sviluppo di controllori per card dotate di memoria flash come Compactflash e Multimediacardstm. Queste funzioni complesse semplificano il progetto del sistema e riducono il carico di lavoro correlato al progetto stesso - precedentemente le medesime funzioni avrebbero dovuto essere gestite da parte del sistema qualora fosse presente la memoria flash And integrata in un prodotto finito. La funzione per la gestione del bad-sector permette alla memoria flash di scoprire anomalie in un determinato settore, nel caso in cui si verificassero durante la riscrittura, e di spostarle automaticamente in un settore di riserva. In questo modo, il chip stesso raggiunge il 100% delle operazioni perfette durante la durata della sua vita, indipendentemente da eventuali difetti presenti quando il circuito viene spedito o che si verificano dopo la spedizione. La funzione wear levelling permette l'utilizzo effettivo delle aree riscritte della memoria flash, prolungandone la durata. Se le operazioni di scrittura sono concentrate localmente, il chip diventa suscettibile al logorio. Perciò, quando le operazioni di riscrittura si ripetono per un numero di volte prestabilito, la funzione trasferisce automaticamente i dati e gli indirizzi in un'area all'interno della quale vengono eseguite poche operazioni di scrittura. La funzione di correzione degli errori garantisce affidabilità dei dati e permette di ridurre il carico di lavoro da parte del sistema. Questa caratteristica permette alla memoria di scoprire se i dati letti differiscono dai dati scritti nel momento in cui gli stessi vengono letti, di identificare dove si trovano i dati che devono essere modificati e di correggerli. Il dispositivo offre anche una funzione di autolettura con un area di 8-Kbyte al momento dell'accensione (funzione di boot). Quando il dispositivo viene acceso, è possibile effettuare la lettura dei dati controllando due linee di controllo (pin Ce e pin Re), anche senza comando o input di indirizzo. Le spedizioni dei campioni di Hn29v512a0a e Hn29v512a1a con alimentazione a 3,3 V inizieranno nel mese di maggio 2004, in Europa. Le spedizioni dei campioni del dispositivo a 1,8 V sono programmate per il terzo trimestre del 2004.
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