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Notiziario Marketpress di Mercoledì 13 Dicembre 2006
 
   
  AMD E IBM ALL´INTERNATIONAL ELECTRON DEVICE MEETING

 
   
  Milano, 13 dicembre 2006 - in occasione del International Electron Device Meeting (Iedm), Ibm ed Amd hanno presentato la documentazione che descrive l’utilizzo del processo di litografia d’immersione, di un dielettrico a bassissima capaticà (ultra-low-K) e di transistor ad alta efficienza di commutazione per i futuri microprocessori con processo produttivo a 45 nm. Amd ed Ibm prevedono di introdurre i primi prodotti a 45 nm che sfruttano tali tecnologie a metà del 2008. Il processo di litografia d’immersione consiste nell’utilizzo di un liquido trasparente che aumenta il fuoco delle lenti su processi a 45nm L’utilizzo di un dielettrico a bassissima capacità permette il raggiungimento di maggiori prestazioni in quanto riduce l’accopiamento dei segnali. I transistor ad alta efficienza di commutazione permettono la realizzazione di Cpu con bassi consumi energetici. .  
   
 

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