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Notiziario Marketpress di
Giovedì 27 Ottobre 2011 |
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SCIENZIATI SVILUPPANO UN NANOINTERRUTTORE MAGNETICO CHE POTREBBE METTERE FINE AL PROBLEMA DEL SURRISCALDAMENTO DEI COMPUTER
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Bruxelles, 27 ottobre 2011 - Molti di noi hanno scoperto gli spiacevoli effetti di lasciare un computer portatile su un letto o un divano troppo a lungo, la prima cosa a destare allarme è un preoccupante ronzio che indica che i piccolissimi processori al suo interno si stanno surriscaldando. Questo surriscaldamento però potrebbe presto non essere più un problema grazie alle nuove scoperte fatte da un team di ricercatori tedeschi. In un articolo pubblicato sulla rivista Physical Review Letters, il team spiega di aver scoperto che è possibile controllare un effetto in nanogiunzioni, piccoli componenti che si basano su strutture a effetto tunnel magnetico, il che potrebbe portare alla scoperta di come accendere e spegnere questi processori più facilmente o di conservare i dati in modo più efficiente. Questa ricerca ha ricevuto un contributo di 21 milioni di euro dal progetto Imera-plus ("Implementing metrology in the European research area-Plus"), parte del tema "Persone" del Settimo programma quadro (7° Pq). Al momento le strutture a effetto tunnel magnetico sono già usate in vari settori della tecnologia dell´informazione. Sono usate, per esempio, come cellule di stoccaggio magnetiche in chip di memoria magnetica non-volatile, nelle "Mram" (Magnetic Random Access Memories) e come sensori magnetici super sensibili per leggere i dati salvati sull´hard disk. In seguito a questa nuova scoperta fatta dal team tedesco, in futuro potrebbero essere usati anche per monitorare e controllare i voltaggi termoelettrici e le correnti in circuiti elettronici altamente integrati. Le strutture a effetto tunnel magnetico consistono in due strati magnetici separati solo da un sottile strato di isolamento, largo circa 1 nanometro. L´orientamento magnetico dei due strati dentro la struttura del tunnel ha una grande influenza sulle sue proprietà elettriche. Se i momenti magnetici dei due strati sono paralleli l´uno all´altro, la resistenza è bassa e se sono opposti l´uno all´altro, la resistenza è alta. Il cambiamento di resistenza quando si cambia la magnetizzazione può essere di oltre il 100%. È quindi possibile controllare la corrente elettrica che passa attraverso la struttura del tunnel magnetico in modo efficiente cambiando semplicemente la magnetizzazione. Il team è riuscito a mostrare che, oltre alla corrente elettrica, la corrente termica che passa attraverso la struttura del tunnel può essere influenzata cambiando la magnetizzazione. Quindi adesso l´energia dal calore eccessivo nei computer potrebbe presto essere usata e convertita in modo mirato. Lo scopo principale del progetto Imera-plus è fare progressi nel campo della metrologia (la scienza delle misurazioni). Per portare innovazione all´interno di un´economia basata sulle conoscenze, sono necessarie misurazioni ancora più precise e affidabili. Se non possiamo misurare qualcosa allora non la capiamo bene e di conseguenza non possiamo controllarla e costruirla in modo affidabile. Per maggiori informazioni, visitare: Physikalisch-technische Bundesanstalt (Ptb): http://www.Ptb.de/index_en.html |
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