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Notiziario Marketpress di
Lunedì 19 Febbraio 2007 |
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IBM PRESENTA LA PIÙ VELOCE TECNOLOGIA DI MEMORIA DINAMICA ON-CHIP IL RIVOLUZIONARIO DESIGN SYSTEM-ON-A-CHIP VELOCIZZA LE PRESTAZIONI MULTI-CORE, DI GRAFICA E NETWORKING RIDUCENDO IL CONSUMO ENERGETICO
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San Francisco, California - 19 febbraio 2007 - In alcuni lavori presentati , in occasione della International Solid State Circuits Conference (Isscc), Ibm ha presentato una tecnologia di memoria on-chip, prima nel suo genere, caratterizzata dai tempi di accesso più rapidi mai registrati nelle memorie eDram (Embedded Dynamic Random Access Memory). Questa nuova tecnologia, progettata utilizzando il processo Silicon-on-insulator (Soi) Ibm, per ottenere prestazioni elevate con bassi consumi, migliora enormemente la prestazione dei microprocessori nelle configurazioni multi-core e velocizza il movimento della grafica nei giochi, nel networking e in altre applicazioni multimediali ricche di immagini. Si prevede che questa tecnologia rappresenterà una caratteristica chiave della roadmap dei microprocessori a 45 nm (nanometri) Ibm e sarà disponibile a partire dal 2008. La nuova tecnologia eDram Ibm, progettata in Soi a 65 nm e basata su processi strained silicon e deep trench, migliora nettamente le prestazioni della memoria on-processor richiedendo solo un terzo dello spazio, con un quinto dell’alimentazione in standby della Sram (Static Random Access Memory) tradizionale. “Con questa rivoluzionaria soluzione al divario processore/memoria, Ibm raddoppia le prestazioni del microprocessore oltre i limiti raggiungibili attraverso il semplice scaling della litografia”, spiega il Dr. Subramanian Iyer, Distinguished Engineer e direttore dello sviluppo della tecnologia a 45 nm in Ibm. “Dato che i componenti dei semiconduttori hanno ormai raggiunto la scala atomica, l’innovazione della progettazione a livello di chip ha sostituito la sola scienza dei materiali come fattore chiave nel proseguire sulla strada indicata dalla Legge di Moore”. Le innovazioni Ibm nella microelettronica e i pionieristici progetti system-on-a-chip dell’azienda hanno trasformato il mondo dei semiconduttori. Le innovazioni Ibm comprendono: High-k, che migliora le funzioni del transistor consentendone al contempo la riduzione oltre i limiti attuali, processori dual-core e multicore, l’uso di conduttori in rame sul chip, la creazione di transistor Soi (silicon-on-insulator) e di giunzioni miste silicio-germanio, lo strained silicon che permette di migliorare le proprietà del silicio come semiconduttore ed eFuse, una tecnologia che consente ai chip dei computer di rispondere automaticamente al variare delle condizioni. La Casa Bianca ha conferito a Ibm la National Medal of Technology, la più grande onorificenza tecnica nazionale, per 40 anni di innovazione nei semiconduttori. Specifiche eDram Tra le specifiche della tecnologia eDram ad alte prestazioni Ibm: dimensioni della cella: 0. 126 mm2; alimentazione: 1 V; disponibilità: 98. 7%; geometria: 1K Rowx16 Col X146 (2 Mb); alimentazione Ca: 76 m; dissipazione in standby: 42 mW; tempo di ciclo random: 2 ns; latenza: 1. . |
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