Notiziario Marketpress di
Giovedì 13 Dicembre 2007
AMD: SEMICONDUTTORI PIÙ PICCOLI, VELOCI ED EFFICIENTI REALIZZATI CON TECNOLOGIA DA 32 NANOMETRI
Milano, 13 dicembre 2007 - Amd ha reso noto che Ibm, insieme ai suoi partner, Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. , Freescale, Infineon e Samsung oltre alla stessa Amd, ha annunciato un approccio innovativo per velocizzare l´implementazione di un materiale rivoluzionario denominato “high-k/metal gate” nei chip da 32 nanometri (32nm) di prossima generazione. Questo nuovo approccio – una novità assoluta basata su quello che i tecnici indicano come processo “high-k gate-first” – è stato progettato per fornire ai clienti un metodo più semplice e rapido per migrare verso la tecnologia high-k metal gate e i relativi vantaggi in termini di aumento delle prestazioni e riduzione dei consumi di corrente. I chip realizzati con la nuova tecnica supporteranno una serie di applicazioni, dai microchip a basso consumo per dispositivi wireless e altri prodotti consumer-oriented fino ai microprocessori ad alte prestazioni destinati ai videogiochi e all´enterprise computing. Il nuovo approccio all´implementazione della tecnologia high-k metal gate sarà reso disponibile da Ibm ai propri partner e ai loro clienti nella seconda metà del 2009. .
