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Notiziario Marketpress di Giovedì 20 Novembre 2008
 
   
  LABORATORIO SULLE TECNOLOGIE DEL SILICIO SU ISOLANTE

 
   
  Gothenburg Svezia, 20 novembre 2008 Dal 19 al 21 gennaio si terrà a Gothenburg, in Svezia, il quinto laboratorio della Eurosoi 2009 ("Rete tematica sulle tecnologie, i dispositivi e i circuiti del silicio su isolante"). Si tratta di un forum internazionale per promuovere l´interazione e gli scambi tra gruppi di ricerca e partner industriali che si occupano di silicio su isolante (Soi) in tutto il mondo. Eurosoi 2009 si terrà presso la Chalmers University of Technology e comprenderà sessioni orali e con poster, presentazioni chiave, un tutorial e ampio spazio per discussioni informali. Il programma copre i recenti progressi nelle tecnologie Soi e sarà di interesse per scienziati che si occupano di materiali e dispositivi e per ingegneri interessati ai processi, circuiti e applicazioni. Gli argomenti tipici comprendono: la sintesi di wafer Soi avanzati; valutazione dei materiali, proprietà dei film ultra sottili e ossidi sepolti, difetti e stress, qualità dell´interfaccia; - transistor Soi ad effetto campo in tecnologia metallo-ossido-semiconduttore (Mosfet): caratterizzazione, modellazione e simulazione di meccanismi tipici, estrazione di parametri, questioni di affidabilità; semiconduttori ad ossido di metallo complementari (Cmos) ad alto rendimento e dispositivi bipolari: circuiti a basso consumo/voltaggio e a radio frequenza (Rf), memorie, sensori e sistemi microelettromeccanici (Mems); dispositivi innovativi: transistor a iniezione multipla, ad effetto tunnel. L´evento è in parte sponsorizzato dalla Rete di eccellenza finanziata dall´Ue Nanosil. Per ulteriori informazioni, visitare: http://chalmers2009. Eurosoi. Org/ .  
   
 

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